हाई-स्पीड लेजर का निर्माण करते समय, डिवाइस के 3DB बैंडविड्थ को बेहतर बनाने के लिए निम्नलिखित उपाय किए जा सकते हैं: 

1. सक्रिय क्षेत्र में, तनाव (क्षतिपूर्ति) बहु-क्वांटम अच्छी संरचना को अपनाया जाता है

क्वांटम अच्छी तरह से लेजर ट्रैप सामग्री वैलेंस बैंड के भारी छेद स्तर के शीर्ष पर है, जो वेल प्लेन के समानांतर द्विअक्षीय कंप्रेसिव स्ट्रेन के कारण होता है और वेल प्लेन के लिए तन्य तनाव सीधा होता है, और वैलेंस बैंड बैक डिजनरेट, विभाजित होता है। लगभग बराबर शून्य की संक्रमण संभावना के साथ स्पिन ऑर्बिट से भारी गुहा में इलेक्ट्रॉन, कमरे के तापमान पर बरमा पुनर्संयोजन संभावना को कम करते हैं, इस प्रकार क्वांटम वेल लेजर थ्रेशोल्ड करंट में गिरावट आती है और लाइनविड्थ वृद्धि कारक कम हो जाता है और विश्राम दोलन आवृत्ति, मॉडुलन बैंडविड्थ और अंतर लाभ गुणांक में काफी सुधार हुआ है।

2. सक्रिय क्षेत्र में पी-टाइप डोपिंग

पी-टाइप डोपिंग SCH क्षेत्र के माध्यम से छेद परिवहन को कम कर सकता है, जो उच्च गति वाले क्वांटम वेल उपकरणों के लिए मुख्य सीमा है। पी-टाइप डोपिंग बहुत उच्च अंतर लाभ प्राप्त कर सकता है, और क्वांटम में वाहकों के वितरण को और अधिक समान बना सकता है।

यदि सक्रिय क्षेत्र में Zn डोपिंग सांद्रता 1018 सेमी -3 के करीब है, तो इसकी 3dB बैंडविड्थ 25GHz तक पहुंच सकती है, और डिवाइस की दोलन आवृत्ति को 30GHz (गुहा की लंबाई 300μm) तक बढ़ाया जा सकता है। इसके अलावा, भारी डॉप्ड लाइनविड्थ वृद्धि कारक को कम करने और अंतर लाभ में और सुधार करने के लिए अनुकूल हैं, ये डिवाइस की मॉड्यूलेशन विशेषताओं में सुधार करने के लिए फायदेमंद हैं।

3. बिजली के परजीवी मापदंडों को कम करें

उच्च गति वाले लेजर विद्युत परजीवी मापदंडों को कम करने के लिए, विशेष रूप से परजीवी समाई, आधे इन्सुलेशन Fe - InP रेग्रोथ लैंडफिल तकनीक का उपयोग कर सकते हैं, साथ ही इलेक्ट्रोड क्षेत्र को कम करने की भी आवश्यकता है; परजीवी समाई को कम करने के लिए स्व-संरेखित संकीर्ण मेसा संरचना (SA-CM) का उपयोग करना अक्सर परजीवी समाई को कम करने के लिए पॉलीमाइड भरने की विधि का उपयोग किया जाता है।

4. लेजर के अंदर फोटॉन एकाग्रता और अंतर लाभ में सुधार करें

लेजर कैविटी में फोटॉन की सघनता को बढ़ाकर आंतरिक गुंजयमान आवृत्ति को बढ़ाया जा सकता है। लेज़िंग वेवलेंथ और गेन पीक वेवलेंथ नेगेटिव डिट्यूनिंग (-10nm) बनाने के लिए DFB संरचना का उपयोग करके अंतर लाभ में सुधार किया जा सकता है, जो -3dB मॉडुलन बैंडविड्थ को बढ़ा सकता है।